特許
J-GLOBAL ID：200903035402029890
マイクロ電子デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021164
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240509
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 スケーリング可能にかつリトグラフィにより製造可能であり、また特に室温で機能可能であるマイクロ電子デバイスを提供する。【構成】 主面11を有する基板10が設けられており、基板10の主面11の上に、1つの層のなかに並び合って配置された個別要素14を含んでいる層構造13が配置されており、基板10の主面11の上に、層構造13と電気的に接続されている少なくとも2つの接触構造12が設けられており、個別要素14および接触構造12が基板10に対して電気的に絶縁されており、個別要素が上下にそれぞれ量子力学的接触を介して電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
主面(11)を有する基板(10)が設けられており、基板(10)の主面(11)の上に、1つの層のなかに並び合って配置された個別要素(14)を含んでいる層構造(13)が配置されており、基板(10)の主面(11)の上に、層構造(13)と電気的に接続されている少なくとも2つの接触構造(12)が設けられており、個別要素(14)および接触構造(12)が基板(10)に対して電気的に絶縁されており、個別要素が上下にそれぞれ量子力学的接触を介して電気的に接続されていることを特徴とするマイクロ電子デバイス。
IPC (2件)：
引用特許：
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