スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：片山修平 , 横山照夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004000567
公開番号（公開出願番号）：WO2004-079827
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

ゲート電圧VGSの印加によって、強磁性ソースにおける金属的スピンバンドによるショットキー障壁幅が減少し、この金属的スピンバンドからのアップスピン電子がチャネル領域にトンネル注入される。このとき強磁性ソース3aの半導体的スピンバンドによるエネルギー障壁により非磁性コンタクト3bからダウンスピン電子は注入されない。すなわち、強磁性ソース3aからはチャネル層へアップスピン電子のみが注入される。強磁性ソース3aと強磁性ドレイン5aとが平行磁化の場合では、アップスピン電子は強磁性ドレインの金属的スピンバンドを伝導してドレイン電流となるが、反平行磁化を持つ場合では、アップスピン電子は強磁性ドレイン5aにおける半導体的スピンバンドによる高さΔEcのエネルギー障壁よって強磁性ドレイン5aを伝導することができない。上記動作原理のMISFETに基づき、高性能・高集積密度の不揮発性メモリを構成することができる。

請求項（抜粋）：

スピン偏極した伝導キャリア(以下、「スピン偏極伝導キャリア」と称する。)を注入する強磁性体からなるソース(以下、「強磁性ソース」と称する。)と、該強磁性ソースから注入されたスピン偏極伝導キャリアを受ける強磁性体からなるドレイン(以下、「強磁性ドレイン」と称する。)と、前記強磁性ソースと前記強磁性ドレインとの間に設けられ、前記強磁性ソース及び前記強磁性ドレインとのそれぞれの接合界面においてショットキー障壁を有するショットキー接合を形成する半導体層と、前記半導体層に対して形成されるゲート電極とを有するトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/82 , H01L 27/10 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/417

FI (9件)：

H01L29/82 Z , H01L27/10 451 , H01L29/78 301S , H01L29/78 301J , H01L29/78 616V , H01L29/78 613B , H01L29/78 622 , H01L27/10 447 , H01L29/50 M

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA60 , 5F110AA30 , 5F110BB08 , 5F110BB13 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110HJ02 , 5F110HJ12 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F140AA00 , 5F140AC16 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BD11 , 5F140BH22 , 5F140BH27 , 5F140BJ00 , 5F140BJ03 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ13 , 5F140BJ30 , 5F140BK12 , 5F140BK32

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