特許

J-GLOBAL ID：200903035437713840

電界効果型化合物半導体装置

発明者： 今西 健治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048875
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263663
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体を用い、ショットキゲート電極を有する電界効果型半導体装置に関し、電流が流れ難いショットキ電極を有するIII-V族化合物半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板(1)と、前記半導体基板上に形成され、キャリアが走行する能動層を含む複数のIII-V族化合物半導体結晶層(2、3、4、5)と、前記III-V族化合物半導体結晶層表面の少なくとも一部上に形成されたInAlP層(6)と、前記InAlP層上に形成され、ショットキ接触を形成するゲート電極(9)と、前記ゲート電極を挟んで配置され、前記能動層にオーミック接触を形成する1対のソース/ドレイン電極(8a、8b)とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)と、前記半導体基板上に形成され、キャリアが走行する能動層を含む複数のIII-V族化合物半導体結晶層(2、3、4、5)と、前記III-V族化合物半導体結晶層表面の少なくとも一部上に形成されたInAlP層(6)と、前記InAlP層上に形成され、ショットキ接触を形成するゲート電極(9)と、前記ゲート電極を挟んで配置され、前記能動層にオーミック接触を形成する1対のソース/ドレイン電極(8a、8b)とを有する電界効果型化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-095370
  
• ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329007   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-111887   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開昭61-015375