特許
J-GLOBAL ID：200903035469477200
結合ウェーハの製造方法及びこの方法により製造された結合ウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067810
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264740
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 極薄のSOI結合ウェーハにおいてもボイドの発生のない完全に結合した結合ウェーハを得ることを目的とする。【構成】 2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち、少なくとも一方の接合面に、鏡面状態の酸化膜を形成した後、相互に接触させて接合した後、加熱処理を加えて、シリコンの結合ウェーハを製造する方法において、用いるシリコン鏡面ウェーハに予めヘイズ検査を行い、ヘイズのないものを用いることを特徴とするシリコン結合ウェーハの製造方法であり、特に、一方のウェーハを研削、研磨、エッチングして3μm以下、あるいは1μm以下といった極薄の薄膜とする場合に有効である。さらにはこれらの方法によって得られるシリコン結合ウェーハをも要旨とする。
請求項（抜粋）：
2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち、少なくとも一方の接合面に鏡面状態の酸化膜を形成した後、相互に接触させて接合した後、加熱処理を加えて、シリコンの結合ウェーハを製造する方法において、用いるシリコン鏡面ウェーハに予めヘイズ検査を行うことを特徴とするシリコン結合ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
