近接場半導体光プローブ装置および同プローブ装置を製造する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070499
公開番号（公開出願番号）：特開2003-272214
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】本発明は、マイクロレンズの焦点位置と近接場光プローブとを精密に一致させた高効率半導体近接場プローブを提供する。【解決手段】垂直共振器表面発光半導体レーザー素子11と、前記垂直共振器表面発光半導体レーザー素子11の出力側に同軸に配設されるマイクロレンズ21と、前記マイクロレンズと同軸にセルフアライメントにより形成される近接場光プローブ22とにより構成される。

請求項（抜粋）：

垂直共振器表面発光半導体レーザー素子と、前記垂直共振器表面発光半導体レーザー素子の出力側に同軸に配設されるマイクロレンズと、前記マイクロレンズと同軸にセルフアライメントにより形成される近接場光プローブとにより構成される近接場半導体光プローブ装置。

IPC (4件)：

G11B 7/135 , G11B 7/22 , H01S 5/02 , H01S 5/183

FI (4件)：

G11B 7/135 A , G11B 7/22 , H01S 5/02 , H01S 5/183

Fターム (18件)：

5D119AA22 , 5D119BA01 , 5D119FA05 , 5D119FA21 , 5D119JA34 , 5D119NA05 , 5D789AA22 , 5D789BA01 , 5D789FA05 , 5D789FA21 , 5D789JA34 , 5D789NA05 , 5F073AB05 , 5F073AB17 , 5F073AB27 , 5F073BA05 , 5F073EA24 , 5F073FA08

引用特許：

審査官引用 (7件)

近接場光ストレージ装置および近接場光ストレージ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-218578 出願人：キヤノン株式会社
特開平1-161792
光ヘッド、光プローブ作成手法、フォトンプローブメモリ装置、情報記録媒体初期化装置及び光ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-181256 出願人：株式会社日立製作所

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