特許

J-GLOBAL ID：200903035476900453

半導体加速度センサ及びその製造方法

発明者： 高見 一昭 ,  国見 敬 ,  小林 忠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  曙ブレーキ工業株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-020146
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 熱ヒステリシス特性を改善し歩留りを向上させる。【構成】 シリコンセンサチップ21のリム部24をセラミック接着剤層30を介してセラミック基板31に接着する。あるいはフィラー含有ゴム接着剤を用い樹脂基板または金属基板に接着する。接着の際、マス部23の下方にスペーサーを設け、接着後このスペーサーを除去する。

請求項（抜粋）：

中央部に設けられたマス部の周囲にダイヤフラム部が形成され、該ダイヤフラム部の周囲にリム部が設けられたシリコンセンサチップを基板上に固定させた半導体加速度センサであって、前記シリコンセンサチップのリム部が接着剤層を介して前記基板上に接着されており、前記接着剤層を形成する接着剤層として、セラミック基板及び金属基板に対してはセラミック接着剤が用いられ、樹脂基板に対してはフィラー含有ゴム接着剤が用いられることを特徴とする、半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-274005
  
• 特開昭63-233342
  
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302782   出願人：日本電気株式会社