特許
J-GLOBAL ID:200903035495321871

半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 和秀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-264689
公開番号(公開出願番号):特開2007-080988
出願日: 2005年09月13日
公開日(公表日): 2007年03月29日
要約:
【課題】波長350nm〜1200nmの青〜赤外光を出射するレーザ出射部に対して、高反射率かつ高精度な反射膜を同一の半導体基板に実装する。【解決手段】青系の半導体レーザ素子1aと赤系の半導体レーザ素子1bを有するレーザ出射部1と、レーザ出射部1からのレーザ光を反射するミラー部2とが同一基板5に形成され、さらに、青系の半導体レーザ素子1aと赤系の半導体レーザ素子1bのそれぞれに対して青の波長に対して反射率の高い第1の反射膜M1と赤ないし赤外の波長に対して反射率の高い第2の反射膜M2がミラー部2を区画した複数領域に形成されている。第1の反射膜M1はAl層と誘電体層の多層膜で構成され、第2の反射膜M2はAuまたはPtからなる金属膜で構成されている。これにより、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光を効率良く反射することができる。【選択図】図5
請求項(抜粋):
レーザ光波長を異にする複数の半導体レーザ素子を有するレーザ出射部と、前記レーザ出射部からのレーザ光を反射する光学反射膜を有するミラー部とが同一基板に形成され、さらに、複数の前記半導体レーザ素子の各出射レーザ光の波長のそれぞれに対して反射率の高い複数種類の光学反射膜が前記ミラー部を区画した複数領域に形成されている半導体レーザ装置。
IPC (2件):
H01S 5/022 ,  G11B 7/125
FI (2件):
H01S5/022 ,  G11B7/125 A
Fターム (18件):
5D789AA01 ,  5D789AA41 ,  5D789BA01 ,  5D789EC45 ,  5D789EC47 ,  5D789FA08 ,  5D789FA30 ,  5D789JA57 ,  5D789JA64 ,  5F173MA05 ,  5F173MB03 ,  5F173MC15 ,  5F173MD03 ,  5F173MD27 ,  5F173MD35 ,  5F173MD64 ,  5F173MF03 ,  5F173MF28
引用特許:
出願人引用 (4件)
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