特許

J-GLOBAL ID：200903035501475118

ICチップを基板に接合する方法

発明者： イノン デガニ ,  ディーン ポール コッシブズ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044330
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243777
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 はんだバンプをICチップに形成する方法を提供する。【解決手段】 はんだバンプを、Al製のボンディング部位に形成するために、はんだバンプ部位に最初にUBM層21,22,23を形成する。ICチップ上のキャップ層14をフォトレジストでコーティングしパターン化してUBMとUBM周囲のキャップ層の周辺部分を露出させる。その後はんだペースト62を塗布してリフローしてはんだバンプ71を形成する。フォトレジストが固くなり、硬化しリフローステップの後は除去しづらくなるために、犠牲バッファ層21が、フォトレジストマスク51とキャップ層14の間に配置され、フォトレジスト51の除去を容易にする。

請求項（抜粋）：

キャップ層(14)とこのキャップ層上に複数のアルミ製接合用部位を具備するICチップを支持用基板に接合する方法において、(A) バンプ下金属領域(UBM:21,22,23)を、アルミ製接合用部位(13)上に選択的に形成するステップと、(B) バッファ層(21)を前記キャップ層(14)上に堆積するステップと、(C) 前記バンプ下金属領域の一部を露出するために前記バッファ層(21)をパターン化するステップと、(D) 前記バッファ層(21)上にフォトレジストマスク(51)を形成するステップと、前記フォトレジストマスク(51)は、前記バンプ下金属領域を露出する開口部分(52)を有してキャップ層(14)の上に形成され、(E) 前記フォトレジストマスクの開口部分(52)をはんだペースト(62)で充填するステップと、(F) 前記バンプ下金属領域上にはんだバンプ(71)を形成するために、前記はんだペースト(62)をリフローさせるステップと、(G) 前記フォトレジストマスク(51)を除去するステップと、(H) 前記バッファ層(21)を除去するステップとからなることを特徴とするICチップを基板に接合する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H05K 3/34 507

FI (3件)：

H01L 21/92 604 E ,  H05K 3/34 507 C ,  H01L 21/92 604 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-052436
  
• 特開平4-116831
  
• 半田バンプの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-108687   出願人：ソニー株式会社