特許
J-GLOBAL ID：200903035502302730
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350314
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186230
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】フォトリソグラフィ技術の解像限界よりも小さなパターン転写が容易にできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に下地材料膜と所定のパターンを有するレジストマスクとを形成する工程と、プラズマ・デポジションにより前記レジストマスクの上面部と側面部とに選択的に堆積物を形成する工程とを含む。そして、上記堆積物を形成後、上記レジストマスクと堆積物とをエッチングマスクにして上記の下地材料膜をドライエッチングする。ここで、プラズマ・デポジションおよびドライエッチングとを同一のプラズマ装置内で行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下地材料膜と所定のパターンを有するレジストマスクとをこの順に形成する工程と、プラズマ・デポジションにより前記レジストマスクの上面部と側面部とに選択的に堆積物を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/768
H01L 21/302 J
, H01L 21/28 L
, H01L 21/90 C
