特許
J-GLOBAL ID：200903035502469677

低磁場特性の優れたセミプロセス無方向性電磁鋼板およびその製造方法

発明者：
島津 高英

島津 高英 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208195
公開番号（公開出願番号）：特開平11-050208
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、低磁場における励磁特性が優れたセミプロセス無方向性電磁鋼板を提供する。【解決手段】 重量%で、C≦0.005%、Si≦2%、Sol.Al:0.001〜0.009%、Mn≦1.0%、P≦0.1%、S≦0.02%、N≦0.006%で残部が実質的に鉄であって、介在物の組成比率Al2 O3 /(Si2O+Al2 O3 +MnO)≧0.2、平均結晶粒径が5〜70μmであって、スキンパス圧延の圧下率に相当する歪みが2〜15%であることを特徴とする低磁場特性の優れたセミプロセス無方向性電磁鋼板。
請求項（抜粋）：
重量%で、 C ≦0.005%、 Si≦2%、 Sol.Al:0.001〜0.009%、Mn≦1.0%、 P ≦0.1%、 S ≦0.02%、 N ≦0.006%、残部が実質的に鉄であって、介在物の組成比率Al2 O3 /(Si2 O+Al2O3 +MnO)≧0.2、平均結晶粒径が5〜70μmであって、スキンパス圧延の圧下率に相当する歪みが2〜15%であることを特徴とする低磁場特性の優れたセミプロセス無方向性電磁鋼板。
IPC (4件)：
C22C 38/00 303 ,  C21D 8/12 ,  C22C 38/06 ,  H01F 1/16
FI (4件)：
C22C 38/00 303 U ,  C21D 8/12 A ,  C22C 38/06 ,  H01F 1/16 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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