特許
J-GLOBAL ID：200903035504924088

光半導体装置の製造方法

発明者：
長野 強

長野 強 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 桂木 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276851
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097949
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 傾斜ミラー構造を容易に製造できる方法を提供する。【解決手段】 平坦な半導体基板1の表面に第1マスク3と第2マスク5を形成し、両マスク間に非マスク部を残こす。次に、結晶面方向の違いによりエッチング速度が異なる異方性エッチングで非マスク部をエッチングし、V字状の溝VGを形成する。続いて、第2マスク5を除去し、第1マスク3で被覆されていない領域の半導体基板1の表面を深さ方向に異方性エッチングことで、受光部面1aから傾斜ミラー面1cを通して受光部面1aより低位置にある素子実装面1bが形成される。
請求項（抜粋）：
少なくとも素子実装面を有する光半導体装置において、予め定められた結晶構造を有する半導体基板表面の第1領域及び第2領域にそれぞれ第1マスクパターン及び第2マスクパターンを非マスク領域を残して形成し、前記半導体基板の結晶面の方向に依存してエッチング速度が異なる異方性エッチング方法を用いて前記第1マスクパターン及び第2マスクパターンが形成された前記半導体基板表面をエッチングすることで、前記非マスク領域に第1傾斜面及び第2傾斜面からなる溝を形成し、前記半導体基板表面の前記第2領域が露出するように前記第2マスクパターンを除去し、前記第1マスクパターンをマスクとして前記半導体基板表面を深さ方向にエッチングすることにより、前記第1領域から前記第1傾斜面を通して前記第1領域より低い位置に前記素子実装面を形成する、ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/306 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
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