液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099795
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068970
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】有機保護層のエッチング、フォトレジストの除去、酸素アッシング(ashing)をドライエッチング室(Chamber)内で一回で連続的に形成することが可能で、工程数を短縮することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 TFTアレイを覆うように有機保護層110を被着し、該有機保護層上にフォトレジストを塗布、現像し、ドライエッチングによってコンタクトホールを形成し、酸素アッシング(ashing)でフォトレジストを除去し、酸素アッシング(ashing)で前記有機保護層の表面を酸化硅素(SiO2)115 層化させ、該有機保護層の上にITO層112を被着し、フォトレジストを塗布、現像し、ITO層をエッチングし、酸素アッシング(ashing)でフォトレジストを除去して画素電極を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜トランジスタを設ける段階と、前記薄膜トランジスタ上に有機保護層を被着する段階と、前記有機保護層上にパターン化されたフォトレジストを形成する段階と、前記トランジスタのソース、ドレイン中の一つの上にコンタクトホールを形成するために前記有機保護層をエッチングする段階と、前記フォトレジストを除去する段階と、前記有機保護層の表面に酸素アッシング(ashing)で無機絶縁層を形成する段階と、そして、前記コンタクトホールを通して前記トランジスタの前記ソース、ドレイン電極中の一つと接続する画素電極を形成する段階とからなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 505 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 505 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-319942
特開平3-006845
特開平4-163528

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