薄膜型電子源および表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-190461
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023509
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電子放出効率を向上させ、かつ、絶縁層に劣化や破壊が生じるの低減し、寿命を長くすることが可能な薄膜型電子源を提供する。【解決手段】下部電極(11)と、前記下部電極上に設けられる上部電極(13)と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ、前記下部電極および前記上部電極とともにダイオード構造の電子放出部を構成する絶縁膜(12)とを有する薄膜型電子源であって、常温で前記ダイオード構造の電流-電圧特性に負性抵抗がなく、かつ前記絶縁膜の膜厚が10nm以上である。

請求項（抜粋）：

下部電極と、前記下部電極上に設けられる上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ、前記下部電極および前記上部電極とともにダイオード構造の電子放出部を構成する絶縁膜とを有する薄膜型電子源であって、常温で前記ダイオード構造の電流-電圧特性に負性抵抗がなく、かつ前記絶縁膜の膜厚が10nm以上であることを特徴とする薄膜型電子源。

IPC (4件)：

H01J 1/312 , G09F 9/30 360 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 1/30 M , G09F 9/30 360 , H01J 29/04 , H01J 31/12 C

Fターム (33件)：

5C031DD09 , 5C031DD17 , 5C036EE01 , 5C036EE08 , 5C036EE19 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG12 , 5C036EH06 , 5C036EH21 , 5C036EH26 , 5C094AA22 , 5C094AA31 , 5C094AA37 , 5C094BA04 , 5C094BA32 , 5C094BA33 , 5C094BA34 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094DB10 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094EC02 , 5C094FA01 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB15 , 5C094JA03 , 5C094JA08 , 5C094JA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-298623
薄膜型電子源およびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-286504 出願人：株式会社日立製作所
MIM型電気素子とその製造方法、及びこれを用いた情報転送装置、画像表示装置、描画装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-247200 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る