特許

J-GLOBAL ID：200903035590556312

オーバレイ計測および制御方法

発明者： アデル・マイク ,  ギノブカー・マーク ,  カッセル・エリヤキム ,  ゴロヴァネブスキイ・ボリス ,  ロビンソン・ジョン・シー. ,  マック・クリス ,  ポップラウスキ・ジョージ ,  イジクソン・パベル ,  プレイル・モシェ
出願人/特許権者： ケーエルエー-テンカー テクノロジィース コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-570292
公開番号（公開出願番号）：特表2005-518107
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 半導体プロセス中に形成されたデバイス構造のオーバレイ誤差を決定するオーバレイ方法を提供する。【解決手段】 本オーバレイ方法は、与えられたプロセス条件のセットについて、第1位置における第1ターゲットの前記オーバレイ誤差を第2位置における第2ターゲットの前記オーバレイ誤差に関連付けるオーバレイ情報を含む較正データ(30)を作ることを含む。本オーバレイ方法はまた、前記デバイス構造で製造された製造ターゲットに関連付けられたオーバレイ情報を含む製造データを作ることを含む。本オーバレイ方法はさらに 前記較正データに基づいて前記製造ターゲットの前記オーバレイ誤差を補正すること(34)によって、前記フィールド内のその位置における前記デバイス構造の真のオーバレイ誤差をよりよく反映させることを含む。

請求項（抜粋）：

半導体プロセス中に形成されたデバイス構造のオーバレイ誤差を決定するオーバレイ方法であって、 与えられたプロセス条件のセットについて、第1位置における第1ターゲットの前記オーバレイ誤差を第2位置における第2ターゲットの前記オーバレイ誤差に関連付けるオーバレイ情報を含む較正データを作ること、 前記デバイス構造で製造された製造ターゲットに関連付けられたオーバレイ情報を含む製造データを作ること、および 前記較正データに基づいて前記製造ターゲットの前記オーバレイ誤差を補正することによって、前記フィールド内のその位置における前記デバイス構造の真のオーバレイ誤差をよりよく反映させること を含む方法。

IPC (5件)：

H01L21/027 ,  G01B11/00 ,  G01B21/00 ,  G03F9/00 ,  H01L21/66

FI (5件)：

H01L21/30 525W ,  G01B11/00 C ,  G01B21/00 D ,  G03F9/00 H ,  H01L21/66 Y

Fターム (44件)：

2F065AA00 ,  2F065AA03 ,  2F065AA07 ,  2F065AA20 ,  2F065BB02 ,  2F065BB28 ,  2F065CC17 ,  2F065DD00 ,  2F065DD06 ,  2F065QQ18 ,  2F065QQ42 ,  2F069AA03 ,  2F069AA06 ,  2F069AA99 ,  2F069BB15 ,  2F069BB17 ,  2F069CC06 ,  2F069DD15 ,  2F069GG07 ,  2F069GG08 ,  2F069GG75 ,  2F069HH30 ,  2F069NN17 ,  2F069NN26 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB15 ,  4M106AB18 ,  4M106AC05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA38 ,  4M106CA50 ,  4M106DB20 ,  4M106DH03 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ07 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EA09 ,  5F046EB01 ,  5F046EB07 ,  5F046FC04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051542   出願人：三菱電機株式会社
• 重ね合わせ精度測定方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-111464   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191539   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-051214