特許
J-GLOBAL ID：200903035594528917
半導体レーザ素子及びその設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062265
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018160
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 安定な自励発振が可能な半導体レーザ素子とその設計方法を提供することを目的とし、更には、自励発振と高出力発振が可能な発振が行える半導体レーザ素子とその設計方法を提供することを目的とする。【構成】 n型クラッド層3と、このクラッド層3上に形成された活性層4と、この活性層4上に形成されたp型クラッド層8と、このp型クラッド層8中に設けられたp型飽和光吸収層6を備え、活性層4へ注入される注入電流を狭窄するための電流狭窄幅がWである半導体レーザ素子において、活性層4の層厚da 、活性層4の光閉じ込め係数Γa 、可飽和光吸収層6の層厚ds 、可飽和光吸収層6の光閉じ込め係数Γs 及び半導体レーザ素子の端面での光スポット長Sを所定の関係を満たすように設定する。光出射端面の反射率は10〜20%の範囲内に設定する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のクラッド層と、両クラッド層の少なくとも一方の層中に設けられた可飽和光吸収層とを備え、上記活性層へ注入される注入電流を狭窄するための電流狭窄幅がWである半導体レーザ素子において、安定な自励発振が得られるように、上記活性層の層厚da 、該活性層の光閉じ込め係数Γa 、上記可飽和光吸収層の層厚ds 、該可飽和光吸収層の光閉じ込め係数Γs 、電流狭窄幅Wおよび上記半導体レーザ素子の端面での光スポット長Sを設定したことを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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