特許

J-GLOBAL ID：200903035601377628

MEMSデバイスの製造方法

発明者： 松岡 元 ,  三崎 登紀子 ,  大柳 昇
出願人/特許権者： 住友精密工業株式会社
代理人 (3件)： 大中 実 ,  大内 信雄 ,  鈴木 活人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346040
公開番号（公開出願番号）：特開2008-155314
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】テンポラリーブリッジを必要としないMEMSデバイス製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ4を加熱して、該シリコンウエハの両面に酸化膜41を形成する酸化膜形成工程と、シリコンウエハ4の一方の面に形成された酸化膜41を除去する第1酸化膜除去工程と、一方の面の酸化膜が除去されたシリコンウエハに上層基板2を複数形成する成形工程と、上層基板が複数形成されたシリコンウエハと、下層基板が複数形成された絶縁ウエハとを積層して、上層基板と下層基板とが積層された積層体を複数形成する積層工程と、積層体のシリコンウエハの他方の面に形成された酸化膜を除去する第2酸化膜除去工程と、積層工程において形成された複数の積層体を切り離して、複数のMEMSデバイスを形成するダイシング工程とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

可動部及び該可動部から切り離された固定部を具備する上層基板と、該上層基板に積層された下層基板とを備えるMEMSデバイスの製造方法において、 シリコンウエハを加熱して、該シリコンウエハの両面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、 前記シリコンウエハの両面に形成された酸化膜のうち、前記シリコンウエハの一方の面に形成された酸化膜を除去する第1酸化膜除去工程と、 一方の面の酸化膜が除去された前記シリコンウエハに前記上層基板を複数形成する成形工程と、 前記上層基板が複数形成された前記シリコンウエハと、前記下層基板が複数形成された絶縁ウエハとを積層して、前記上層基板と前記下層基板とが積層された積層体を複数形成する積層工程と、 前記積層体の前記シリコンウエハの他方の面に形成された酸化膜を除去する第2酸化膜除去工程と、 前記積層工程において形成された複数の積層体を切り離して、複数のMEMSデバイスを形成するダイシング工程とを含むことを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。

IPC (2件)：

B81C 1/00 ,  G02B 26/10

FI (2件)：

B81C1/00 ,  G02B26/10 104

Fターム (3件)：

2H045AB06 ,  2H045AB16 ,  2H045AB73

引用特許：

出願人引用 (1件)

• MEMSミラースキャナ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-013407   出願人：住友精密工業株式会社