特許
J-GLOBAL ID：200903035639968328
表示素子用基板およびその製造方法並びにその製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048607
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 透明導電膜や無機絶縁膜と有機絶縁膜との密着性に優れる信頼性の高い表示素子用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、半導体層14、チャネル保護層15、ソース電極16aおよびドレイン電極16bとなるn+ Si層、透明導電膜17・17’、金属層18・18’、層間絶縁膜19、および画素電極1を順に積層して表示素子用基板を形成する。このとき、上記層間絶縁膜19には、シラン化合物をブレンドした感光性樹脂を用いる。これにより、層間絶縁膜19と、該層間絶縁膜19と接触する透明導電膜および無機絶縁膜との密着性に優れる表示素子用基板を得ることができる。
請求項（抜粋）：
無機絶縁膜および透明導電膜のうち少なくとも一方の膜と有機絶縁膜とを有し、上記無機絶縁膜および透明導電膜のうち少なくとも一方の膜と上記有機絶縁膜とがシラン化合物により密着されていることを特徴とする表示素子用基板。
IPC (4件)：
G02F 1/1333 500
, G02F 1/1333 505
, G02B 1/10
, C01B 33/04
G02F 1/1333 500
, G02F 1/1333 505
, C01B 33/04
, G02B 1/10 Z
