薄膜発熱体およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川英和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350887
公開番号（公開出願番号）：特開2006-164595
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】抵抗発熱体は種々の材料ソースあるいは基板加熱などに用いられ、近年あらゆる雰囲気で化学的に安定な発熱体材料が必要とされている。従来、炭化ケイ素、モリブデン、タンタル、タングステンを用いた発熱体が知られているが、薄膜化が困難であり、小さくできない。また形状も、板状、ワイヤー状に限られる場合が多く、熱効率がよい形状が望まれている。【解決手段】MoSi2の欠点を、RFマグネトロンスパッタリング装置などを用いて、るつぼ等に直接薄膜として堆積させることで改善し、高効率の加熱が可能な薄膜状のMoSi2薄膜発熱体、および、基体にMoSi2薄膜を形成した薄膜発熱器を提供する。薄膜層の劣化を防止するため第1電極と第2電極を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体上に形成した薄膜層と、前記薄膜層から所定の距離隔たった部位に形成された第2電極と、前記薄膜層と前記第2電極を電気的に結合する第1電極を具備する薄膜発熱体。

IPC (4件)：

H05B 3/14 , C23C 14/06 , H05B 3/03 , H05B 3/10

FI (4件)：

H05B3/14 D , C23C14/06 N , H05B3/03 , H05B3/10 C

Fターム (32件)：

3K092PP09 , 3K092QA01 , 3K092QA05 , 3K092QB10 , 3K092QB31 , 3K092QB78 , 3K092QC02 , 3K092QC20 , 3K092QC25 , 3K092QC53 , 3K092RF11 , 3K092VV04 , 3K092VV09 , 3K092VV31 , 3K092VV34 , 3K092VV40 , 4K029AA04 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029AA26 , 4K029AA27 , 4K029BA11 , 4K029BA13 , 4K029BA52 , 4K029BB02 , 4K029BB03 , 4K029BB07 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029HA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化ケイ素質絶縁型発熱体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-330832 出願人：東海高熱工業株式会社

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