特許
J-GLOBAL ID：200903035679735520

複合発光素子及びその製造方法

発明者：
井上 登美男

井上 登美男 について

, 
小原 邦彦

小原 邦彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009722
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218403
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 放熱性を向上させたフリップチップ型の複合発光素子を提供する。【解決手段】 透明基板上に積層した半導体薄膜層の一方の面に一対の電極を形成した半導体発光素子2と、2つの電極を有し、この2つの電極に前記一対の電極がそれぞれ導通する状態に半導体発光素子2を接合するサブマウント素子3と、半導体発光素子2とサブマウント素子3とを接合した第1、第2の大型バンプ4,5とを有し、第1、第2の大型バンプ4,5の平断面積の合計を、半導体発光素子2の平断面積の30%以上とした。
請求項（抜粋）：
透明基板上に積層した半導体薄膜層の一方の面に一対の電極を形成した半導体発光素子と、2つの電極を有し、この2つの電極に前記一対の電極がそれぞれ導通する状態に前記半導体発光素子を接合するサブマウント素子と、前記半導体発光素子と前記サブマウント素子とを接合した第1、第2の大型バンプとを有し、前記第1、第2の大型バンプの平断面積の合計を、前記半導体発光素子の平断面積の30%以上としたことを特徴とする複合発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041BB27 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (3件)

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