特許
J-GLOBAL ID：200903058717488680
光半導体モジュール及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151273
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341040
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 半田バンプの持つ高精度な位置制御の特徴を生かして光ファイバと光半導体素子とを無調整かつ低コストで光学結合すると共に、部材点数・工程を増加させずにサブ基板上への放熱面積を大幅に増大させる。【解決手段】 異なる溶融点を有する半田バンプA4、半田バンプB5を形成し、低い溶融点、高い溶融点を有する半田バンプにそれぞれ光半導体素子2とSiサブ基板1間の放熱面積の確保と高精度の位置制御という異なる機能を持たせることにより、光半導体素子と光ファイバ間の無調整での結合と放熱性を確保する。
請求項（抜粋）：
光半導体素子とサブ基板とを半田バンプを介して固定し、サブ基板をパッケージ内に収納した光半導体モジュールにおいて、溶融点の異なる2種類以上の半田バンプを有することを特徴とする、光半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, G02B 6/42
, H01L 23/12
, H01L 31/02
H01L 33/00 N
, G02B 6/42
, H01L 23/12 J
, H01L 31/02 B
