特許

J-GLOBAL ID：200903035693785123

半導体装置

発明者： 渡辺 利男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194375
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040750
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量の絶縁耐圧を越えた場合、抵抗素子と基板間で絶縁破壊するのを防止する。【解決手段】 P型半導体基板1上の所定領域に島状N型ウェル層2を形成し、絶縁膜6を介して島状Nウェル層領域2内に抵抗素子3を折曲げて形成する。そして、P型基板1とN型ウェル2層間に寄生するダイオード14により、基板1と多結晶シリコン3に挾まれた酸化膜16に加わる電界を緩和し、破壊耐量を向上させる。

請求項（抜粋）：

抵抗部とブレークダウン部とを有し、入出力される過電圧から回路を保護する半導体装置であって、前記抵抗部は、過電圧が瞬時に印加されるのを阻止するものであって、半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成されたものであり、前記ブレークダウン部は、過電圧に対してブレークダウンして過電圧が印加されるのを阻止するものであって、半導体基板と層間絶縁膜との間にウェル層を介装した積層構造からなるものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-286459
  
• 特開昭63-172468
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214402   出願人：富士電機株式会社