電子デバイス及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161816
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100919
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】既存の電子デバイスの製造プロセスを利用して、真空保持用キャップ体をセルごとに設けた電子デバイス,その製造方法などを提供する。【解決手段】キャップ用ウェハ150の上にAl膜151を形成し、Al膜151をパターニングして環状膜144を形成する。環状膜144をマスクとしてドライエッチングを行なって、真空ドームとなる凹部を囲む筒部142を形成する。キャップ用ウェハ150の基板部141に切り込み部152を形成した後、赤外線エリアセンサが形成された本体ウェハ100の上に、キャップ用ウェハ150を載置する。そして、キャップ用ウェハ150の環状膜144と本体ウェハ100の環状膜118とを圧着により接合して環状接合部15を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの素子が配置された複数のセル領域を有する本体基板と、上記本体基板上に載置されたキャップ体と、上記複数のセル領域のうち少なくとも1つのセル領域の上記素子が配置された部位に設けられ、上記本体基板と上記キャップ体とに囲まれて減圧雰囲気又は不活性ガス雰囲気に維持された空洞部と、上記本体基板と上記キャップ体との間に設けられ、上記空洞部を外部空間から遮断するための環状接合部とを備えている電子デバイス。

IPC (8件)：

H01L 23/02 , H01L 23/06 , H01L 27/14 , H01L 27/146 , H01L 29/80 , H01L 29/84 , H01L 35/32 , H01L 37/00

FI (9件)：

H01L 23/02 B , H01L 23/06 Z , H01L 29/84 Z , H01L 35/32 Z , H01L 37/00 , H01L 27/14 A , H01L 27/14 K , H01L 27/14 D , H01L 29/80 A

Fターム (43件)：

4M112AA01 , 4M112AA02 , 4M112DA03 , 4M112DA07 , 4M112DA08 , 4M112DA09 , 4M112DA11 , 4M112DA12 , 4M112DA15 , 4M112DA16 , 4M112EA02 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA08 , 4M112EA11 , 4M112FA09 , 4M112FA20 , 4M112GA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA14 , 4M118CA32 , 4M118CA35 , 4M118CB07 , 4M118CB12 , 4M118CB13 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118FC18 , 4M118GA10 , 4M118GC20 , 4M118GD09 , 4M118HA02 , 4M118HA36 , 5F102FB10 , 5F102GB04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL16 , 5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-274678 出願人：株式会社デンソー
半導体圧力センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-307519 出願人：株式会社デンソー

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