希土類珪酸塩単結晶の育成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230224
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142994
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【目的】結晶のボイド発生の無い安定して良好なシンチレ-タ性能を有する希土類珪酸塩単結晶を育成することができる単結晶の育成方法を提供する。【構成】珪酸ガドリニウム単結晶を育成する場合において、Alの不純物濃度が0.4ppm以下の希土類酸化物等の原料を使用しその融液から希土類珪酸塩単結晶を育成する。

請求項（抜粋）：

希土類酸化物、珪素酸化物を含む原料の融液から希土類珪酸塩単結晶を育成する方法において、Alの不純物濃度が0.4ppm以下の原料を用いることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶の育成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/34 , C30B 15/00 , G01T 1/202

FI (3件)：

C30B 29/34 Z , C30B 15/00 Z , G01T 1/202

引用特許：

審査官引用 (6件)

固体非半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-354522 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
特開昭60-231486
特開昭63-112498

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