特許
J-GLOBAL ID：200903035722277736
樹脂封止型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213722
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033434
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 ノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置の全体の厚みを薄くすること。【解決手段】 リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド3上に搭載された半導体素子4と、この半導体素子4の上面の電極とリードフレームの端子部5とを電気的に接続した金属細線6と、端子部5の下面と側面とを露出させた状態で、金属細線6を含む半導体素子4の外囲領域を封止してなる封止樹脂7とを備えた樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド3の表面がハーフエッチングされ、そのハーフエッチングされて薄くなった部分に半導体素子4が搭載されている構成とする。あたかも半導体素子を研削したかのように半導体素子の位置を下げることができ、半導体装置の全体の厚みを薄くすることができる。
請求項（抜粋）：
リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレームの端子部とを電気的に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを露出させた状態で、金属細線を含む半導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置において、ダイパッドの表面がハーフエッチングされ、そのハーフエッチングされて薄くなった部分に半導体素子が搭載されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 U
, H01L 23/28 A
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DA10
, 4M109DB04
, 4M109FA04
, 5F067AA01
, 5F067AB03
, 5F067BB04
, 5F067BE00
, 5F067DA16
, 5F067DA18
, 5F067DF03
