特許

J-GLOBAL ID：200903035756236788

超電導デバイス

発明者： 島岡 一博 ,  高橋 和彦 ,  善里 順信
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-304873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132575
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、準粒子の注入特性を改善すると共に作製が容易にして、且つ素子の集積度を向上させることが可能な超電導デバイスを提供することをその目的とする。【構成】 この発明の超電導体デバイスは、STO基板1の(110)面上に(117)配向させたBSCCO酸化物超電導体2を設け、この(117)配向面上に絶縁層3を介してエミッタ電極4を設けてなる。

請求項（抜粋）：

基板上に(11n)(ここで、n=0,1,2,...)配向させた層状構造酸化物超電導体を設け、この(11n)配向面上に絶縁層を介して超電導体または常電導体を設けてなる超電導体デバイス。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-346277
  
• 酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに超電導トンネル接合およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305124   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-163974
  
• 特開平4-273179