特許

J-GLOBAL ID：200903035759071771

半導体レーザの発光制御方法

発明者： 長沢 昌弥 ,  稲葉 直人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245322
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076745
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】発光の遅れと消光比の問題の双方を満足することができる半導体レーザの発光方法を提供する。【解決手段】半導体レーザの発光タイミング(1nsec程度)の直前に、同程度の時間のプリ発光タイミングを設けている。このプリ発光タイミングは、発光タイミングの前に、予め、半導体レーザの駆動電流にバイアスを与えるためのものであり、これらにより、実際の駆動電流の波形は図に示すようになり、発光タイミングの遅れが無くなる。このような駆動電流による半導体レーザの実際の発光波形は図に示すものとなる。なお、実際には、駆動電流に与えられるバイアス電流により、プリ発光タイミングにおいても、半導体レーザは少し発光しているが、その量は小さいので図に現れていない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザからレーザ光をパルス的に発光させる方法であって、発光タイミングの直前の短期間のみ、必要な強度の発光を得るために必要な駆動電流より小さなバイアス駆動電流で、予め前記半導体レーザを駆動しておき、発光タイミングにおいては、必要な強度での発光を得るための駆動電流で、前記半導体レーザを駆動することを特徴とする半導体レーザの発光制御方法。

IPC (1件)：

H01S 5/042

FI (1件)：

H01S5/042 630

Fターム (4件)：

5F173SA17 ,  5F173SC10 ,  5F173SE02 ,  5F173SG07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004003820   出願人：株式会社ニコン