半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085424
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291529
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】素子のひとつであるトランジスタのソース領域またはドレイン領域が、該トランジスタのゲート電極105上部または隣接するフィールド酸化膜102上部にまで延在し、該上部の位置で外部配線114と接続されている。上記ソース領域またはドレイン領域は、基板中に形成された不純物添加領域109,109と該不純物添加領域に接して形成されたシリサイド領域111とからなり、該シリサイド領域111によりゲート電極105上部またはフィールド酸化膜102上部にまで延在されている。【効果】外部配線とソース、ドレイン領域とのコンタクトのアスペクト比が軽減されるとともに、最小加工寸法はそのままで活性領域寸法を縮小でき、コンタクト寸法を大きく取れ、デバイスの縮小が容易に行える。また、接触抵抗が低減され、ソース、ドレイン領域の寄生抵抗が減少されて、デバイスの高速化が可能となる。

請求項（抜粋）：

一の基板上に複数の素子が形成されてなる半導体装置を構成するトランジスタのソース領域またはドレイン領域が、該トランジスタのゲート電極上部または隣接するフィールド酸化膜上部にまで延在し、該上部の位置で外部配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/28 301 , H01L 21/90 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 325 H , H01L 29/78 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-040761
特開平2-132862
特開平2-249268

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