特許
J-GLOBAL ID：200903035779712250
厚膜レジストパターンの製造法及びその製造法により製造された厚膜レジストパターン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172479
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036266
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 レジストラインの断面形状が矩形で、密着性の良好な膜厚レジストパターンの製造法を提供する。【構成】 感光性フィルムを基材上にラミネートし、110〜250μmの厚膜感光性樹脂層を形成し、これを露光、現像してレジスト間隔が30〜200μmのレジストパターンを形成する工程において、(1)感光性樹脂層のγ値(21段ステップタブレット(1段の濃度の差0.15)で、1段当りの現像残膜厚の変化量)が90μm/段以上となるように露光後加熱する工程及び(2)必要に応じて現像後活性光線を照射する工程あるいは加熱する工程を有する厚膜レジストパターンの製造法及びその製造法により製造された厚膜レジストパターン。
請求項（抜粋）：
感光性フィルムを基材上にラミネートし、110〜250μmの厚膜感光性樹脂層を形成し、これを露光、現像してレジスト間隔が30〜200μmのレジストパターンを形成する工程において、(1)感光性樹脂層のγ値(21段ステップタブレット(1段の濃度の差0.15)で、1段当りの現像残膜厚の変化量)が90μm/段以上となるように露光後加熱する工程及び(2)必要に応じて現像後活性光線を照射する工程あるいは加熱する工程を有する厚膜レジストパターンの製造法。
IPC (5件)：
G03F 7/26 513
, G03F 7/38
, H05K 3/06
, H05K 3/18
, H05K 3/28
