特許
J-GLOBAL ID：200903035785485711
圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子を用いて製造したアクチュエータとセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346586
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159807
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】高い圧電定数を有するニオブ酸カリウムナトリウムの圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子を用いて製造したアクチュエータとセンサを提供するものである。【解決手段】本発明に係る圧電薄膜素子は、基板1上に少なくとも下部電極2、圧電薄膜3、上部電極4を配した構造を有するものであり、圧電薄膜3が一般式(NaxK1-x)NbO3(0<x<1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の薄膜で構成され、圧電薄膜3の膜厚は10μm以下であり、圧電薄膜3を構成する結晶粒の過半数以上が基板1の平面方向よりも厚さ方向に長い柱状構造を有し、かつ、基板1の平面方向の圧電薄膜3の平均結晶粒径が0.1μm以上、1.0μm以下のものである。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも下部電極、圧電薄膜、上部電極を配した構造を有する圧電薄膜素子において、上記圧電薄膜が一般式(NaxK1-x)NbO3(0<x<1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の薄膜で構成され、該圧電薄膜の膜厚は10μm以下であり、圧電薄膜を構成する結晶粒の過半数以上が上記基板の平面方向よりも厚さ方向に長い柱状構造を有し、かつ、基板平面方向の圧電薄膜の平均結晶粒径が0.1μm以上、1.0μm以下であることを特徴とする圧電薄膜素子。
IPC (6件)：
H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H02N 2/00
H01L41/22 Z
, H01L41/08 C
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101Z
, H02N2/00 B
