特許
J-GLOBAL ID：200903035792092040
高周波回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033533
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232819
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 抵抗の接地容量を減らすことができる構造が簡単な高周波回路を提供すること。【解決手段】 複数の誘電体基板11a〜11dを積層して構成された積層基板11を用い、積層基板11の上端に位置する第1誘電体基板11aの表面にマイクロストリップライン12、13や抵抗14を配置し、第1誘電体基板11aの裏面、または、第1誘電体基板11aより下方に位置する第2誘電体基板11b〜11dの表面あるいは裏面に形成された地導体16の一部で、抵抗14の直下に位置する部分に地導体を形成しないようにしている。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体基板を積層して構成された積層基板と、この積層基板の上端に位置する第1誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップラインと、このマイクロストリップラインが形成された前記第1誘電体基板の表面に設けられた抵抗と、前記第1誘電体基板の裏面、または、前記第1誘電体基板より下方に位置する第2誘電体基板の表面あるいは裏面に形成された地導体と、前記第1誘電体基板の裏面、または、前記第2誘電体基板の面で、前記地導体が形成された面とは異なる面に形成された配線パターンとを具備した高周波回路において、前記抵抗の直下に位置する少なくとも一部分に前記地導体が形成されていないことを特徴とする高周波回路。
IPC (5件)：
H01P 3/08
, H01P 1/22
, H01P 5/19
, H05K 1/16
, H05K 1/02
H01P 3/08
, H01P 1/22
, H01P 5/19 A
, H05K 1/16 C
, H05K 1/02 N
