特許
J-GLOBAL ID：200903035796420972
MEMSスイッチ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-171755
公開番号（公開出願番号）：特開2009-009884
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】スイッチング特性と信頼性を向上させるMEMSスイッチの製造方法、及びMEMSスイッチを提供することを目的とする。【解決手段】MEMSスイッチを構成する可動電極5と吸引電極4との間に設けられる犠牲層を、互いに異種材料にてなる第1犠牲層8及び第2犠牲層9にて分割形成すると共に、両者が重なり合う領域を設ける。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に形成されそれぞれ隙間を介して配列された第1電極、吸引電極、及び第2電極と、上記第1電極に支持されたカンチレバー状で可撓性であり上記吸引電極にて駆動されて上記第2電極とスイッチングを行う可動電極とを備えたMEMSスイッチの製造方法において、
上記第1電極、上記吸引電極、及び上記第2電極を上記基板に形成した後、上記第2電極の少なくとも一部分上に第1犠牲層を形成し、
上記第1犠牲層の形成後、第2犠牲層を上記吸引電極上及び上記第1犠牲層の少なくとも一部分上に形成し、
上記第2犠牲層の形成後、上記第1犠牲層及び上記第2犠牲層を覆って上記可動電極を形成した後、上記第1犠牲層及び上記第2犠牲層を順次除去して当該MEMSスイッチを形成する、
ことを特徴とするMEMSスイッチの製造方法。
IPC (4件)：
H01H 49/00
, H01H 59/00
, B81C 1/00
, B81B 3/00
H01H49/00 L
, H01H59/00
, B81C1/00
, B81B3/00
3C081AA02
, 3C081BA43
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA23
, 3C081CA28
, 3C081CA29
, 3C081DA03
, 3C081DA27
, 3C081DA45
