特許
J-GLOBAL ID：200903015216438470
MEMS素子及びその製作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063075
公開番号（公開出願番号）：特開2004-001186
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】駆動電極が埋め込み構造を有する静電駆動型MEMS素子及びその製作方法を提供する。【解決手段】MEMS素子の製作方法は、基板310上に駆動電極320を形成し、さらに駆動電極320上に絶縁層330を形成する。絶縁層330をパターニングにより固定部と接触部が形成される領域をエッチングし、その上に金属層340を形成する。金属層340を絶縁層330が露出するまでポリシングして平坦化する。このとき駆動電極320は絶縁層330に埋め込まれたままである。次いで、その上に犠牲層350を積層し、さらに犠牲層350のうち固定部が形成される領域をエッチングによってグループ状の空間とし、残った犠牲層350上にMEMS構造物層350を積層する。【選択図】 図3f
請求項（抜粋）：
基板について固定される固定部と、該固定部と連結され前記基板上に浮き上がる駆動部と、該駆動部を所定の駆動力によって駆動させる駆動電極と、駆動力により駆動する前記駆動部を選択的にスイッチングする接触部とを備えたMEMS素子の製作方法において、
前記基板上に前記駆動電極をパターニングする段階と、
前記駆動電極が形成された前記基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層をパターニングして前記固定部と前記接触部が形成される領域の前記絶縁層をエッチングする段階と、
エッチングされた前記固定部と前記接触部の領域を含む前記基板上に金属層を形成する段階と、
前記絶縁層が露出される時点に対応して前記金属層を平坦化する段階と、を備えることを特徴とするMEMS素子の製作方法。
IPC (4件)：
B81C1/00
, B81B3/00
, H01H11/04
, H01H59/00
B81C1/00
, B81B3/00
, H01H11/04 G
, H01H59/00
5G023AA04
, 5G023AA12
, 5G023BA04
, 5G023BA06
, 5G023CA24
, 5G023CA29
