特許
J-GLOBAL ID:200903035799779645
耐割れ性に優れた酸化物超電導体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
今井 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-238477
公開番号(公開出願番号):特開2001-064016
出願日: 1999年08月25日
公開日(公表日): 2001年03月13日
要約:
【要約】【課題】 大きな電磁力や使用時の急激な昇温・冷却に伴う熱歪といった外力や内部応力に十分に耐え、長期にわたって高い捕捉磁場を安定して発揮できる酸化物超電導体を提供する。【解決手段】 例えば“希土類元素を含む銅酸化物超電導体”等の酸化物超電導体を、低融点金属が含浸した酸化物超電導バルク体、あるいは低融点金属が含浸しかつ外表面に低融点金属の薄層を有した酸化物超電導バルク体からなる構成とする。これら酸化物超電導体は、減圧雰囲気下に保持した酸化物超電導バルク体と溶融状態の低融点金属とを接触させることによって製造することができる。なお、予め酸化物超電導バルク体に孔を設けておくことによって溶融状態の低融点金属との接触面を酸化物超電導バルク体の外表面と前記孔の内表面の両方とすれば、製造能率や製品性能の更なる向上が期待できる。
請求項(抜粋):
低融点金属が含浸した酸化物超電導バルク体からなることを特徴とする、耐割れ性に優れた酸化物超電導体。
IPC (2件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
FI (2件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
Fターム (5件):
4G047JA02
, 4G047JB05
, 4G047JC03
, 4G047KC06
, 4G047LA10
引用特許:
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