特許

J-GLOBAL ID：200903035814879783

半導体基板表面分析の前処理方法及びその装置

発明者： 渡邉 かおり
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237912
公開番号（公開出願番号）：特開平11-083704
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の大口径化に伴い問題となる弗酸蒸気分解法での処理時間増大、定量分析精度の低下、作業の複雑さを解決する。【解決手段】 被表面分析用の基板20の一表面の全面に接触させる分解回収液22を保持する基板処理部24、被表面分析用の基板20を保持し、且つ被表面分析用の基板20を基板キャリア部(図示せず)と基板処理部24との間で移送処理する基板搬送部25、分解回収液22の供給排出装置26、基板処理部24に超音波処理若しくは加熱処理を施す処理操作手段23とが設けられている半導体基板表面分析の前処理装置30。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面分析の前処理方法において、被表面分析用の基板表面全面に分解回収液を接触させた状態で、当該分解回収液に超音波処理若しくは加熱処理を施すことを特徴とする半導体基板表面分析の前処理方法。

IPC (2件)：

G01N 1/28 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 1/28 X ,  H01L 21/66 L ,  G01N 1/28 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウエハの表面分析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-114228   出願人：コマツ電子金属株式会社