特許
J-GLOBAL ID：200903035817782950
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松尾 誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329595
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133556
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 オン抵抗を低く保ちながらさらに高速スイッチング特性の改善されたIGBTを提供する。【解決手段】 N-型の半導体基体の一方の表面に、この半導体基体の厚さ方向に流れる電流のスイッチングを行う多数の絶縁ゲートトランジスタが形成された能動領域と、非能動領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、前記半導体基体の他方の表面に、前記能動領域に対応した領域に形成され前記絶縁ゲートトランジスタのオン時に前記半導体基体中にホールを注入して伝導度変調を起こさせるためのホール多量注入構造と、前記非能動領域に対応した領域に形成され前記ホール多量注入構造と比較して少量のホールしか注入されないホール少量注入構造と、を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
請求項（抜粋）：
N-型の半導体基体の一方の表面に、この半導体基体の厚さ方向に流れる電流のスイッチングを行う多数の絶縁ゲートトランジスタが形成された能動領域と、非能動領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、前記半導体基体の他方の表面に、前記能動領域に対応した領域に形成され前記絶縁ゲートトランジスタのオン時に前記半導体基体中にホールを注入して伝導度変調を起こさせるためのホール多量注入構造と、前記非能動領域に対応した領域に形成され前記ホール多量注入構造と比較して少量のホールしか注入されないホール少量注入構造と、を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
H01L 29/78 655 D
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 655 G
