特許
J-GLOBAL ID：200903035832376128
カルコパイライト系多元化合物半導体薄膜光吸収層 からなる薄膜太陽電池
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135498
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 開放電圧を大きくすると共に、界面層(又はバッファー層)と薄膜光吸収層との界面接合性をより良好にする。【解決手段】 金属裏面電極3、光吸収層4、界面層5、窓層6及び上部電極7からなる薄膜太陽電池1がガラス基板2上に設けられている。該太陽電池1の光吸収層4に特徴を有し、光吸収層4を、p形のCu-III-VI2族カルコパイライト構造のCu(InGa)Se2(CIGS) の薄膜とし、Gaの濃度を薄膜光吸収層表面から内部に向かって徐々(段階的)に増加する濃度勾配にして開放電圧を大きくすると共に、前記光吸収層4の表面にCu(InGa)(SeS)2(CIGSS) からなる極薄の表面層41を設け、このイオウ濃度を前記薄膜表面層41の表面(界面層側)から内部に向かって急激に直線的に減少する濃度勾配にして界面接合性を改善する。
請求項（抜粋）：
金属裏面電極層と、該金属裏面電極層上に設けられp形の導電形を有しかつ薄膜光吸収層として供される第1のCu-III-VI2族カルコパイライト系多元化合物半導体薄膜と、前記薄膜光吸収層上に設けられp形と反対の導電形を有し窓層として供される禁制帯幅が広くかつ透明で導電性を有する第2の金属酸化物半導体透明導電膜薄膜と、前記第1のCu-III-VI2族カルコパイライト系多元化合物半導体薄膜と第2の金属酸化物半導体透明導電膜薄膜の間の界面に成長した界面層(バッファー層)として供される透明で高抵抗を有する半導体薄膜とから構成されることを特徴とするカルコパイライト系多元化合物半導体薄膜光吸収層からなる薄膜太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, C23C 14/06 D
