特許

J-GLOBAL ID：200903035860589102

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 津田 昭仁
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-160144
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008250
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の外部接続技術、及び集積回路装置のパッケージ技術に関し、熱膨張係数の差から生じる半田バンプのクラックを防ぐこと。【解決手段】半導体基板上に形成した有機樹脂層上に金属メッキ台座層を形成すると共に、その構造を片持ち梁構造としてストレスの応力を金属メッキ台座部分で緩和する。半導体基板11上にパッシベーション膜13を形成し、さらにその上にポリイミド膜20を形成する。次に前記パッシベーション膜、ポリイミド膜のパッド14に対応した部分を開口し、スパッタ法によりポリイミド膜20の上にCrからなる密着層及びCuからなるバリア層15を形成する。その後バリア層15の上に金属メッキ台座層16を形成する。続いて金属メッキ台座層16の上に二層目のポリイミド膜21を形成し、半田バンプを形成するための開口部を設けた後、半田メッキ用の導電スッパタ膜22及び半田バンプ17を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に回路を構成する素子が形成され、かつ回路の入出力および電源電圧を供給するためのパッドを有する半導体集積回路において、上記半導体基板のパッシベーション膜上に有機樹脂層と金属メッキ台座層を有する半田バンプが形成されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 604 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-259861   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開昭57-121255
  
• 特開昭55-150279