半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259861
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330313
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】簡易な構成で製造が容易となり、安価にできる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ32のパッシベーション膜34上に形成された第1の絶縁皮膜38の表面に前記半導体チップ32の電極36に接続して配線パターン40が形成され、該配線パターン40上に配線パターン40の外部接続端子接合部を露出して第2の絶縁皮膜42が形成され、前記露出した外部接続端子接合部に外部接続端子46が形成されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

パッシベーション膜が形成された半導体チップ面上に、該半導体チップの電極を露出して第1の絶縁皮膜が形成され、該第1の絶縁皮膜の表面に前記半導体チップの電極に接続して配線パターンが形成され、該配線パターン上に配線パターンの外部接続端子接合部を露出して第2の絶縁皮膜が形成され、前記露出した外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/92 602 Z , H01L 21/90 A , H01L 21/90 B , H01L 21/92 602 L , H01L 21/92 604 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-072143
特開昭63-250158
特開平1-196856

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