特許

J-GLOBAL ID：200903035898023056

微粒子配列方法と微粒子配列装置

発明者： 松井 功
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361306
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160883
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 基板上に微粒子を高い生産性で配列させる。【解決手段】基板上に薄膜パターニングを用いて高誘電率領域と低誘電率領域とを形成した後、基板表面に荷電粒子を照射し、高誘電率領域上に選択的に電荷を蓄積する。さらに、基板表面に帯電させた微粒子を供給し、電荷が蓄積された高誘電率領域上に選択的に付着、定着させる。

請求項（抜粋）：

基板表面に高誘電率領域と低誘電率領域とを形成する工程と、基板表面に、荷電粒子を照射し、前記高誘電率領域上に選択的に電荷を蓄積する工程と、基板表面に、帯電させた微粒子を供給し、電荷が蓄積された前記高誘電率領域上に選択的に前記微粒子を付着させる工程と、付着した前記微粒子を定着させる工程とを有することを特徴とする微粒子配列方法。

IPC (4件)：

C23C 26/00 ,  G11B 5/855 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

C23C 26/00 Z ,  G11B 5/855 ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (33件)：

4K044AA06 ,  4K044AA12 ,  4K044AA13 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA12 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044BA21 ,  4K044BB10 ,  4K044BB11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA07 ,  4K044CA34 ,  4K044CA62 ,  4K044CA71 ,  5D112AA02 ,  5D112AA18 ,  5D112BA09 ,  5D112FA06 ,  5D112GA02 ,  5D112GA17 ,  5D112GA26 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層造形方法及び積層造形装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-011190   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 磁気記録装置、磁気記録媒体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-373060   出願人：株式会社東芝