特許

J-GLOBAL ID：200903035913480868

配向層の形成方法、結晶製造方法、基板、半導体素子、およびIII族窒化物半導体の製造方法

発明者： 後藤 実 ,  秋本 晃一 ,  下山 謙司 ,  藤戸 健史 ,  浪田 秀郎 ,  長尾 哲
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-061471
公開番号（公開出願番号）：特開2008-222478
出願日： 2007年03月12日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】クラックを生じさせることなく良質な結晶を歩留まりよく製造する方法を提供する。【解決手段】単結晶基板1上に第1の薄膜2を製膜して第1の薄膜2表面を摩擦することにより摩擦配向層3を形成し、さらに摩擦配向層3の上に第2の薄膜を堆積することにより堆積配向層4を形成し、その上に結晶を成長させる。単結晶基板1はSi基板とし、その面方位は(111)とする。また、摩擦配向層3の厚さは1〜20mmとし、その形成工程において、第1の薄膜2をダイアモンド、サファイアまたはSiCで摩擦する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に第1の薄膜を製膜して該第1の薄膜表面を摩擦することにより摩擦配向層を形成する工程、および、該摩擦配向層の上に第2の薄膜を堆積することにより堆積配向層を形成する工程を含むことを特徴とする配向層の形成方法。

IPC (3件)：

C30B 25/18 ,  H01L 33/00 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

C30B25/18 ,  H01L33/00 C ,  C30B29/38 D

Fターム (26件)：

4G077AA02 ,  4G077AB03 ,  4G077AB09 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171276   出願人：住友電気工業株式会社