研究者
J-GLOBAL ID:200901068815833467
更新日: 2024年07月29日
秋本 晃一
アキモト コウイチ | AKIMOTO Koichi
所属機関・部署:
日本女子大学 理学部 数物情報科学科
日本女子大学 理学部 数物情報科学科 について
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職名:
教授
研究分野 (3件):
半導体、光物性、原子物理
, 結晶工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (2件):
X線回折
, 表面・界面物理
競争的資金等の研究課題 (13件):
2015 - 2018 GaN結晶のメゾスコピックなスケールでのひずみ場と表面再構成構造の研究
2013 - 2016 表面X線回折直接法によるトポロジカル絶縁体超薄膜の電子密度分布精密解析
2012 - 2015 GaN結晶のメゾスコピックなスケールでのひずみ場の研究
2011 - 2013 摩擦界面における軟質金属層の挙動と摩擦・摩耗特性に関する研究
2009 - 2011 GaNのメゾスコピックなスケールでの結晶グレインに関する研究
2007 - 2009 摩擦界面現象による固体表面極表層のナノ構造変化に関する研究
2006 - 2008 イオンビームによるシリコン表面界面におけるナノ構造の形成と制御
2004 - 2006 高誘電率絶緑薄膜の応力に起因する高圧相への構造相転移の研究
2004 - 2006 半導体高指数面および埋もれた界面における金属1次元構造の研究
2001 - 2004 軌道放射光を用いたシリコン/高誘電率絶縁膜界面の構造解析
2001 - 2003 半導体表面におけるナノ構造の緩和過程
2000 - 2002 X線による半導体表面における長距離の格子緩和の研究
1995 - 1996 シリコン表面における原子レベルでの動的過程
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論文 (94件):
秋本晃一. 異常分散X線回折を利用したGaN結晶の極性評価. 日本結晶学会誌. 2015. 57. 5. 263-268
A. Ruammaitree, H. Nakahara, K. Akimoto, K. Soda, Y. Saito. Determination of non-uniform graphene thickness on SiC (0001) by X-ray diffraction. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2013. 282. 297-301
Koichi Akimoto, Takashi Emoto. Quantitative strain analysis of surfaces and interfaces using extremely asymmetric x-ray diffraction. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2010. 22. 47. 473001
Wolfgang Voegeli, Toru Takayama, Tetsuroh Shirasawa, Makoto Abe, Kimitaka Kubo, Toshio Takahashi, Koichi Akimoto, Hiroshi Sugiyama. Structure of the quasi-one-dimensional Si(553)-Au surface: Gold dimer row and silicon honeycomb chain. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2010. 82. 7
Wolfgang Voegeli, Tomohiro Aoyama, Koichi Akimoto, Ayahiko Ichimiya, Yoshiyuki Hisada, Yoshihito Mitsuoka, Shinichi Mukainakano. Structure of the SiC(0001)-√3 ×√3-R30° surface after initial oxidation. Surface Science. 2010. 604. 19-20. 1713-1717
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MISC (1件):
隅谷 和嗣, 張 小威, 河田 洋, 坂田 修身, 田尻 寛男, 増沢 航介, 吉田 隆司, 星野 崇, 中谷 信一郎, 高橋 敏男, et al. 26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2005. 60. 0
特許 (8件):
周期表第13族金属窒化物基板
窒化物半導体結晶の測定方法、ドメインの検出方法および窒化物半導体結晶の評価方法
配向層の形成方法、結晶製造方法、基板、半導体素子、およびIII族窒化物半導体の製造方法
X線回折測定装置
X線回折測定装置
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書籍 (5件):
理工系の基礎物理学
培風館 2016 ISBN:9784563025083
表面科学の基礎と応用 : 日本表面科学会創立25周年記念
エヌ・ティー・エス 2004 ISBN:4860430514
結晶解析ハンドブック
共立出版 1999 ISBN:4320033221
応用物理用語大事典
オーム社 1998 ISBN:4274023648
表面分析図鑑
共立出版 1994 ISBN:4320043227
講演・口頭発表等 (14件):
22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
(日本物理学会講演概要集 2010)
22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√<3>×√<3>-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
(日本物理学会講演概要集 2007)
26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
(日本物理学会講演概要集 2005)
20aPS-27 X 線 CTR 散乱低温試料マニピュレータの開発と Si(111)-6x1-Ag 表面構造の研究
(日本物理学会講演概要集 2003)
8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
(日本物理学会講演概要集 2002)
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学歴 (2件):
1980 - 1985 東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻
1976 - 1980 東京大学 工学部 物理工学科
学位 (1件):
工学博士 (東京大学)
経歴 (7件):
2022/04 - 現在 日本女子大学 大学院理学研究科 研究科委員長
2012/04 - 現在 日本女子大学 理学部 教授
2023/04 - 2024/03 日本女子大学 理事、学長補佐
2022/04 - 2024/03 日本女子大学 評議員
1994 - 2012 名古屋大学 大学院工学研究科 准教授(助教授)
1991 - 1994 日本電気株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所 主任及び専門課長
1985 - 1991 日本電気株式会社 基礎研究所 研究員及び主任
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委員歴 (1件):
2024/04 - 現在 (公益財団法人)大学基準協会 大学評価委員会 委員
受賞 (1件):
2008 - 2007年度JJAP編集貢献賞
所属学会 (4件):
日本表面真空学会
, 日本物理学会
, 応用物理学会
, American Physical Society
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