特許

J-GLOBAL ID：200903035930292498

磁気抵抗効果素子

発明者： 柘植 久尚
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315319
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150985
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 磁気ヘッドや磁気メモリに必要な抵抗値及び電流密度を備え、高感度でしかも安定に信号磁界を検出できる磁気抵抗効果素子を制御よく得る。【解決手段】 反強磁性層11により交換結合磁界を付与した強磁性層(固定層)12と、トンネルバリア層14を介して薄い高分極率膜15及び軟磁性膜16の二層膜からなる強磁性層(フリー層)13とで基本構造が形成されている磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合の構造を有し、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した磁気抵抗効果素子において、少なくとも反強磁性層と接していない方の強磁性層がトンネルバリア層側に薄い高分極率膜を備えた軟磁性膜で構成され、かつ前記軟磁性膜はNix Fe1-x (0.35≦x≦0.81)であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第5650958号
  
• 磁気抵抗センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-319003   出願人：富士通株式会社