半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111330
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコンゲート構造を有するMOSトランジスタにおいて、ゲート電極からゲート電極下半導体基板中への抵抗値低減用不純物の拡散を防止し、しきい値の変動を防止する。【構成】ゲート電極の多結晶シリコンに、抵抗値低減用不純物が多結晶シリコンからゲート電極下方に拡散するのを阻止する能力の大きい通過阻止用不純物を分散状態で含ませる構造とする。これにより、半導体基板の大きな歪み発生を伴うことなく、しきい値の変動を防止する。特に、表面チャネル型PチャネルMOSトランジスタに適用することで、P型ゲート電極中のホウ素の基板への突き抜けを防止して、特性変動の無いかつ低消費電力のデバイスとしうる。製造工程では、ゲート電極とソース,ドレインとに2フッ化ホウ素を同時注入することで、浅いソース,ドレインによってデバイスが微細となり、かつ工程数が低減する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタ構造を有する半導体装置であって、半導体基板上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成され、抵抗値低減用不純物を含む多結晶シリコンからなるゲート電極を備えるとともに、上記多結晶シリコン膜は、上記ゲート電極中の抵抗値低減用不純物のシリコン基板内への通過を阻止するための通過阻止用不純物を分散状態で含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-025176
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-284351 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-025176

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