特許

J-GLOBAL ID：200903035952351196

電子放出源及びその製造方法

発明者： 上村 佐四郎 ,  長廻 武志 ,  余谷 純子 ,  村上 裕彦
出願人/特許権者： 伊勢電子工業株式会社 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037672
公開番号（公開出願番号）：特開2001-229806
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 電子放出の均一性を向上した電界放出型冷陰極電子源とその製造方法を提供する。【解決手段】 この発明の電子放出源10は、ナノチューブ状繊維の生成核となる金属を主成分とする材料で構成され多数の貫通孔13を有する基板11と、基板11の表面及び貫通孔壁14に配置されたナノチューブ状繊維からなる被膜12とを備えている。この電子放出源10は、鉄又は鉄を含む合金で構成され、多数の貫通孔13を有する基板11を、炭素化合物からなるガスが所定の濃度で含まれる材料ガス雰囲気中で加熱して所定の温度に保持させ、炭素からなるナノチューブ状繊維を基板11の表面及び貫通孔壁14からカールした状態に成長させて基板11の表面及び貫通孔壁14を被覆する被膜12を形成して製造する。

請求項（抜粋）：

ナノチューブ状繊維の生成核となる金属を主成分とする材料で構成され、多数の貫通孔を有する基板と、前記基板の表面及び貫通孔壁に配置されたナノチューブ状繊維からなる被膜とを備えた電子放出源。

IPC (5件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  C01B 31/02 101

FI (5件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  C01B 31/02 101 F ,  H01J 1/30 F

Fターム (13件)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301259   出願人：日本真空技術株式会社