特許
J-GLOBAL ID：200903037149147400
炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301259
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057934
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 非常に安価な基板を用いて、非常に簡単なプロセスで、高密度で微細な、また低電界で駆動できる炭素系冷陰極の提供。【解決手段】 電界印加プラズマCVD法により、基板表面上の所定の位置にカーボンナノチューブ又はアモルファスカーボンを直接堆積し、この堆積層を電子放出源とする炭素系超微細冷陰極を得る。
請求項（抜粋）：
基板上の所定の電極形成位置に、該基板上に直接形成せしめたカーボンナノチューブ又はアモルファスカーボンを電子放出源として有することを特徴とする炭素系超微細冷陰極。
IPC (3件)：
H01J 1/304
, H01J 1/30
, H01J 9/02
H01J 1/30 F
, H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
