特許

J-GLOBAL ID：200903035963743592

すず-ニッケル合金膜の製造方法

発明者： 兼松 秀行 ,  増尾 嘉彦 ,  沖 猛雄
出願人/特許権者： 鈴鹿工業高等専門学校長
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377157
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180283
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】 非平衡NiSn相を含まない安定なすず-ニッケル合金膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成する。次いで、この多層膜にレーザ光を照射することにより、前記すず層を構成するすず元素を前記ニッケル層中に拡散させて、安定相であるNi3Sn相などの平衡相からなるすず-ニッケル合金膜を製造する。

請求項（抜粋）：

所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成した後、この多層膜にレーザ光を照射することにより、すず-ニッケル合金膜を製造することを特徴とする、すず-ニッケル合金膜の製造方法。

IPC (3件)：

C25D 5/48 ,  C22C 19/03 ,  C25D 5/12

FI (3件)：

C25D 5/48 ,  C22C 19/03 Z ,  C25D 5/12

Fターム (7件)：

4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AA23 ,  4K024AB02 ,  4K024BA02 ,  4K024BB20 ,  4K024DB10