特許
J-GLOBAL ID：200903035968058979

半導体記憶装置

発明者：
佐藤 弘

佐藤 弘 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006217
公開番号（公開出願番号）：特開平5-189961
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 ワイド電源仕様PSRAMにて、ワード線駆動電圧用の昇圧を行うに当り、昇圧動作のモード(2倍,3倍モード)切換点付近での電流値の不安定化による消費電流の浪費をなくして低消費電力化を図り、一方でメモリの安定した動作を保証する。【構成】 PSRAMは、電源電圧VCCHが供給される通常動作モードと、電源電圧VCCLが供給されるデータリテンションモードにて作動する。電圧供給回路100の倍電圧発生回路120は電源電圧VCCが所定値VCCM以上であるか否かに応じて昇圧電圧VCH発生時の昇圧モードを切り換える。VCCM値はVCCLとVCCHの間とされ、上記2つの動作モード中での昇圧モードの切換が防止される。各種動作電圧VCH,VBBを検知するレベルセンサ130,150のセンスタイミングは上記作動モードに応じて決定される。内部通常電圧発生回路140はデータリテンションモード中休止される。
請求項（抜粋）：
少なくとも2以上の動作モードにて動作するメモリの各々の動作モードに応じて相異なる2以上の動作電源電圧を供給する電圧供給手段と、該電圧供給手段から供給された動作電源電圧に所定の昇圧動作を1又は2回以上施して所望の昇圧電圧を得る昇圧電圧発生手段と、上記供給された動作電源電圧と所定電圧とを比較してその比較結果に応じて上記昇圧電圧発生手段による昇圧動作回数を決定する動作回数決定手段とを具えてなり、該昇圧動作回数の決定に用いられる所定電圧が上記2以上の動作モードに応じて供給される相異なる2以上の電源電圧の中間値に設定されてなることを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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