特許
J-GLOBAL ID:200903035976005710

低温プラズマ接合のためのシステムおよび方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-525654
公開番号(公開出願番号):特表2008-513975
出願日: 2005年07月29日
公開日(公表日): 2008年05月01日
要約:
複数の基板(145、440、450)を接合する方法が、複数の基板(145、440、450)上でガスプラズマ処理を実施すること、および複数の基板(145、440、450)上で水プラズマ処理を実施することを含む。さらに、低温プラズマ強化接合を実行するためのシステムが、基板(145、440、450)収容空間を有する基板ハウジング構造と、基板ハウジング構造に流体連通するガス源と、基板ハウジング構造に流体連通する水蒸気源(230)と、基板ハウジング構造に接続される無線周波数(RF)発生器(260)とを備え、そのシステムは、ガスプラズマ処理および水プラズマ処理の両方が基板(145、440、450)上で実施されるように構成されている。
請求項(抜粋):
複数の基板(145、440、450)を接合する方法であって、 前記複数の基板(145、440、450)上でガスプラズマ処理を実施すること、および 前記複数の基板(145、440、450)上で水プラズマ処理を実施すること を含む、方法。
IPC (4件):
H01L 21/02 ,  B81C 3/00 ,  B23K 20/00 ,  H01L 27/12
FI (4件):
H01L21/02 B ,  B81C3/00 ,  B23K20/00 310L ,  H01L27/12 B
Fターム (7件):
3C081BA30 ,  3C081CA05 ,  3C081CA32 ,  3C081CA40 ,  4E067BA03 ,  4E067DA05 ,  4E067EA05
引用特許:
審査官引用 (2件)

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