特許
J-GLOBAL ID:200903036012465971
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 鈴木 亨
, 八本 佳子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-247399
公開番号(公開出願番号):特開2004-087321
出願日: 2002年08月27日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【解決手段】本発明にかかる有機EL素子の製造方法は、基板上に、対向する陽極と陰極と、これらの電極間に狭持された1層以上の有機化合物層とを備えてなる有機EL素子を、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、酸素ガスの存在下、対向する電極間に放電することによりプラズマ状態とした酸素ガスに晒し、該有機EL素子の陰極表面を酸化して、該陰極表面に酸化皮膜を形成することを特徴としている。【効果】本発明によれば、長寿命の有機EL素子、すなわち経時による輝度の低下の少ない有機EL素子の製造方法を提供することができる。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
基板上に、対向する陽極と陰極と、これらの電極間に狭持された1層以上の有機化合物層とを備えてなる有機エレクトロルミネッセンス素子を、
大気圧または大気圧近傍の圧力下で、酸素ガスの存在下、対向する電極間に放電することによりプラズマ状態とした酸素ガスに晒し、
該有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極表面を酸化して、該陰極表面に酸化皮膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B33/26
, H05B33/10
, H05B33/14
, H05H1/24
FI (4件):
H05B33/26 Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05H1/24
Fターム (8件):
3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007AB18
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007FA03
引用特許:
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