特許

J-GLOBAL ID：200903036013381224

薄膜素子の転写方法

発明者： 東 清一郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231743
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057432
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 制御性良く再現性の良い素子転写技術を与える。【解決手段】 レーザー照射によって引き起こされる溶融をトリガーとして、犠牲層に大電流を流し犠牲層の温度を制御する。

請求項（抜粋）：

第1の基板上の犠牲層上に作製した薄膜素子を第2の基板上に転写する薄膜素子の転写方法において、該犠牲層に電圧を印加した状態で該犠牲層に光照射することによって犠牲層上の薄膜素子を前記第2の基板上に転写することを特徴とする薄膜素子の転写方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 627 D ,  H01L 27/12 B

Fターム (29件)：

5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG46 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300371   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242198   出願人：セイコーエプソン株式会社